Перегляд за автором "Арапов, Ю.Г."

Результати 1-15 з 15

Анализ качества противоположных гетерограниц и профиля потенциала квантовой ямы в валентной зоне гетеросистемы Ge₁₋xSix/Ge/Ge₁₋xSix с помощью гальваномагнитных эффектов

Якунин, М.В.; Альшанский, Г.А.; Арапов, Ю.Г.; Неверов, В.Н.; Харус, Г.И.; Шелушинина, Н.Г.; Кузнецов, О.А.; де Виссер, А.; Пономаренко, Л. (Физика низких температур, 2004)

Показано, что в периодической системе квантовых ям Ge₁₋xSix/Ge/Ge₁₋xSix p-типа при ширине слоев Ge более ~30 нм дырочный газ в каждом слое Ge разделяется на два двумерных подслоя, сосредоточенных у противоположных ...
Вклады электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации в проводимость гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix

Арапов, Ю.Г.; Гудина, С.В.; Карсканов, И.В.; Неверов, В.Н.; Харус, Г.И.; Ше, Н.Г (Физика низких температур, 2007)

Разделены вклады в проводимость от модифицированного беспорядком электрон-электронного взаимодействия и слабой локализации для гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix с низкой подвижностью носителей в магнитных полях 0 ≤ B ≤2 Тл при ...
Влияние инфракрасного излучения на квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs с двумя сильно связанными квантовыми ямами

Гудина, С.В.; Арапов, Ю.Г.; Неверов, В.Н.; Подгорных, С.М.; Якунин, М.В. (Физика низких температур, 2013)

Экспериментально исследовано продольное ρxx(B) и холловское ρxy(B) магнитосопротивление в перпендикулярном плоскости образца магнитном поле в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с двойными сильно связанными квантовыми ямами в ...
Квантовый магнитотранспорт в двойной квантовой яме n-InxGa₁₋xAs/GaAs в наклонных магнитных полях

Якунин, М.В.; Арапов, Ю.Г.; Неверов, В.Н.; Подгорных, С.М.; Харус, Г.И.; Шелушинина, Н.Г; Звонков, Б.Н.; Ускова, Е.А. (Физика низких температур, 2007)

Прецизионное сканирование плоскости (B ,B||) между проекциями магнитного поля перпендикулярно и параллельно слоям двойной квантовой ямы (ДКЯ) n-InxGa₁₋xAs/GaAs (x ≈ 0,2) при измерениях ее продольного магнитосопротивления ...
Квантовый магнитотранспорт в структурах n-InGaAs/GaAs при изменении концентрации электронов под воздействием инфракрасного излучения

Арапов, Ю.Г.; Гудина, С.В.; Неверов, В.Н.; Подгорных, С.М.; Савельев, А.П.; Якунин, М.В. (Физика низких температур, 2015)

Экспериментально исследовано продольное ρxx(B,T) и холловское ρxy(B,T) магнитосопротивление в перпендикулярном плоскости образца магнитном поле в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с одиночными и двойными сильносвязанными ...
К вопросу об универсальности критических индексов в режиме квантового эффекта Холла

Арапов, Ю.Г.; Гудина, С.В.; Дерюшкина, Е.В.; Шелушинина, Н.Г.; Якунин, М.В. (Физика низких температур, 2019)

Проведен критический анализ работ в рамках концепции двухпараметрического скейлинга, а также дан краткий обзор современных перколяционных моделей для квантового фазового перехода плато– плато в режиме квантового эффекта ...
Магнитотранспорт в 2D-структурах n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами в области перехода из диэлектрического состояния в режим квантового эффекта Холла

Арапов, Ю.Г.; Карсканов, И.В.; Неверов, В.Н.; Харус, Г.И.; Шелушинина, Н.Г.; Якунин, М.В. (Физика низких температур, 2009)

Получены расчетные зависимости компонент тензоров проводимости и сопротивления от температуры и магнитного поля с учетом квантовых поправок от эффектов слабой локализации (СЛ) и электрон- электронного взаимодействия (ЭЭВ) ...
Немонотонная температурная зависимость сопротивления гетероструктур p-Ge/Ge₁₋xSix в области перехода металл–диэлектрик

Арапов, Ю.Г.; Неверов, В.Н.; Харус, Г.И.; Шелушинина, Н.Г.; Якунин, М.В.; Кузнецов, О.А.; Пономаренко, Л.; де Виссер, А. (Физика низких температур, 2004)

В двумерной (2D) дырочной системе (многослойные гетероструктуры p-Ge/Ge₁₋xSix) с проводимостью σ ≈ e²/h при низких температурах (T ≈1,5 К) при понижении температуры наблюдается переход от диэлектрического (dσ/dT > 0) ...
Особенности квантовых эффектов в 2D-структурах GaAs/n-InGaAs/GaAs с двойными квантовыми ямами

Арапов, Ю.Г.; Якунин, М.В.; Гудина, С.В.; Карсканов, И.В.; Неверов, В.Н.; Харус, Г.И.; Шелушинина, Н.Г.; Подгорных, С.М.; Звонков, Б.Н.; Ускова, Е.А. (Физика низких температур, 2007)

В двойной квантовой яме n-InxGa₁₋xAs/GaAs (x ≈ 0,2) температурные зависимости продольного сопротивления ρxx(Т ) 2D-электронного газа с низкой подвижностью и концентрацией электронов вблизи перехода металл—диэлектрик В = ...
Переходы плато–плато в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктуре n-InGaAs/GaAs с одиночной квантовой ямой до и после ИК подсветки

Арапов, Ю.Г.; Гудина, С.В.; Клепикова, А.С.; Неверов, В.Н.; Харус, Г.И.; Шелушинина, Н.Г.; Якунин, М.В. (Физика низких температур, 2015)

Экспериментально исследованы продольное pxx(B,T) и холловское pxy (B,T) магнитосопротивления в режиме целочисленного квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs с одиночной квантовой ямой в диапазоне магнитных ...
Спектр уровней Ландау двойной квантовой ямы в наклонном магнитном поле

Арапов, Ю.Г.; Неверов, В.Н.; Харус, Г.И.; Шелушинина, Н.Г.; Якунин, М.В. (Физика низких температур, 2009)

Выполнен квазиклассический расчет спектра уровней Ландау в наклонном магнитном поле для двойной квантовой ямы с учетом зависимостей циклотронных эффективных масс от энергии. Проведено сопоставление с квантовомеханическим ...
Температурная зависимость квантового времени жизни в структурах n-InGaAs/GaAs c двойными сильно связанными квантовыми ямами

Арапов, Ю.Г.; Гудина, С.В.; Неверов, В.Н.; Подгорных, С.М.; Якунин, М.В. (Физика низких температур, 2013)

Экспериментально исследовано продольное ρxx(B) и холловское ρxy(B) магнитосопротивление в параллельных и перпендикулярных плоскости образца магнитных полях в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с двойными сильно связанными ...
Температурная зависимость ширины полосы делокализованных состояний в наноструктурах n-InGaAs/GaAs в режиме квантового эффекта Холла

Арапов, Ю.Г.; Гудина, С.В.; Неверов, В.Н.; Новокшонов, С.Г.; Клепикова, А.С.; Харус, Г.И.; Шелушинина, Н.Г.; Якунин, М.В. (Физика низких температур, 2013)

Экспериментально исследованы продольное ρxx(B) и холловское ρxy(B) магнитосопротивления в режиме целочисленного квантового эффекта Холла (КЭХ) в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с одиночной и двойной квантовыми ямами в диапазоне ...
Условия экспериментального наблюдения критического поведения продольного и холловского сопротивления в режиме квантового эффекта Холла в гетероструктурах на основе арсенида галлия и индия

Клепикова, А.С.; Арапов, Ю.Г.; Гудина, С.В.; Неверов, В.Н.; Харус, Г.И.; Шелушинина, Н.Г.; Якунин, М.В.; Звонков, Б.Н. (Физика низких температур, 2017)

Проведены исследования целочисленного квантового эффекта Холла (КЭХ) для гетеросистемы n-InGaAs/GaAs с одиночной и двойной квантовыми ямами до и после ИК подсветки в широком диапазоне магнитных полей 0–16 Tл и температур ...
Фазовый переход из диэлектрического состояния в фазу квантового эффекта Холла в гетероструктурах n-InGaAs/GaAs

Савельев, А.П.; Гудина, С.В.; Арапов, Ю.Г.; Неверов, В.Н.; Подгорных, С.М.; Якунин, М.В. (Физика низких температур, 2017)

Экспериментально исследованы продольное ρxx(B, T) и холловское ρxy(B, T) сопротивления в магнитном поле B до 12 Тл при температурах T = 1,8–80 К в наноструктурах n-In₀.₂Ga₀.₈As/GaAs с одиночными и двойными сильно связанными ...

Результати 1-15 з 15

Пошук

Розширений пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Перегляд за автором "Арапов, Ю.Г."

Репозиторій DSpace/Manakin

Перегляд за автором "Арапов, Ю.Г."

Пошук

Перегляд

Вся бібліотека

Мій обліковий запис